新磊半导体申请一种分子束外延系统中外延层生长温度的确定方法专利, 有利于改善产品质量
发布日期：2025-05-21 04:20 点击次数：147
金融界2025年5月3日消息，国家知识产权局信息显示，新磊半导体科技（苏州）股份有限公司申请一项名为“一种分子束外延系统中外延层生长温度的确定方法”的专利，公开号CN119901778A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明提供一种分子束外延系统中外延层生长温度的确定方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在多个生长温度下，生长InGaAsP外延层；测试确定每个As组分；数据拟合的函数关系作为生长温度与As组分之间的对应关系；在第一温度，在InGaAs外延层上生长InGaAsP外延层；测量As组分，根据对应关系，计算出对应的生长温度，作为第二温度；在InGaAs外延层上生长其他外延层时的生长温度=基准温度‑（第二温度‑第一温度）。通过获取的对应关系，可以计算出特定厚度InGaAs外延层吸热对生长温度的额外影响，基于此确定出在InGaAs外延层上生长其他外延层时的生长温度，有利于改善产品质量。
天眼查资料显示，新磊半导体科技（苏州）股份有限公司，成立于2011年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6350.7246万人民币。通过天眼查大数据分析，新磊半导体科技（苏州）股份有限公司参与招投标项目13次，专利信息71条，此外企业还拥有行政许可27个。
本文源自：金融界